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AUSCD12H~AUSCD110H, AUSCD22H~AUSCD24H, AUSCD24UH, AUSCD26H, AUSCD32H~AUSCD34H, AUSCD36H, AUSCD210H, AUSCD310H, SCD24UH SCD12H~SCD14H, SCD16H~SCD110H, SCD22H~SCD24H, SCD26H, SCD36H, SCD32H~SCD34H, SCD36MH, SCD36RH, SCD36ULH, SCD53H, SCD54H, SCD56UH, SCD115H~SCD120H, SCD210H, SCD215H~SCD220H, SCD310H, SCD315H, SCD320H, SCD345H, SCD345MH, SCD345PH, SCD345UH, SCD545H, SCD545UH
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O diodo Schottky também conhecido como diodo de barreira Schottky ou diodo de barreira quente-diodo portador, é um diodo semicondutor formado pela junção de um semicondutor com um metal. Possui baixa queda de tensão direta e ação de comutação muito rápida. O gato’ e-detectores de bigodes usados nos primeiros dias da tecnologia sem fio e retificadores de metal usados nas primeiras aplicações de energia podem ser considerados diodos Schottky primitivos.
Quando é aplicada tensão direta suficiente, uma corrente flui na direção direta. Um silício p–O diodo n tem uma tensão direta típica de 600–700 mV, enquanto o Schottky’ a tensão direta é 150–450 mV. Este menor requisito de tensão direta permite maiores velocidades de comutação e melhor eficiência do sistema.
Quando é aplicada tensão direta suficiente, uma corrente flui na direção direta. Um silício p–O diodo n tem uma tensão direta típica de 600–700 mV, enquanto o Schottky’ a tensão direta é 150–450 mV. Este menor requisito de tensão direta permite maiores velocidades de comutação e melhor eficiência do sistema.
O 2010 Os Schottky Barrier Rectifiers são projetados para oferecer eficiência e confiabilidade inigualáveis em sistemas eletrônicos avançados. Como um fabricante líder em Taiwan, nos concentramos em fornecer soluções que atendam às rigorosas demandas das indústrias atuais.
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