2010
AUSCD12H~AUSCD110H, AUSCD22H~AUSCD24H, AUSCD24UH, AUSCD26H, AUSCD32H~AUSCD34H, AUSCD36H, AUSCD210H, AUSCD310H, SCD24UH SCD12H~SCD14H, SCD16H~SCD110H, SCD22H~SCD24H, SCD26H, SCD36H, SCD32H~SCD34H, SCD36MH, SCD36RH, SCD36ULH, SCD53H, SCD54H, SCD56UH, SCD115H~SCD120H, SCD210H, SCD215H~SCD220H, SCD310H, SCD315H, SCD320H, SCD345H, SCD345MH, SCD345PH, SCD345UH, SCD545H, SCD545UH
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El diodo Schottky también conocido como diodo de barrera Schottky o diodo de corriente caliente.-diodo portador, Es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un metal.. Tiene una baja caída de tensión directa y una acción de conmutación muy rápida.. El gato’ s-Los detectores de bigotes utilizados en los primeros días de la tecnología inalámbrica y los rectificadores de metal utilizados en las primeras aplicaciones de energía pueden considerarse diodos Schottky primitivos..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&En serio;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&De ninguna manera;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&En serio;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&En serio;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&De ninguna manera;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&En serio;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..
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