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O diodo Schottky também conhecido como diodo de barreira Schottky ou diodo de barreira quente-diodo portador, é um diodo semicondutor formado pela junção de um semicondutor com um metal. Possui baixa queda de tensão direta e ação de comutação muito rápida. O gato’ e-detectores de bigodes usados nos primeiros dias da tecnologia sem fio e retificadores de metal usados nas primeiras aplicações de energia podem ser considerados diodos Schottky primitivos.
Quando é aplicada tensão direta suficiente, uma corrente flui na direção direta. Um silício p–O diodo n tem uma tensão direta típica de 600–700 mV, enquanto o Schottky’ a tensão direta é 150–450 mV. Este menor requisito de tensão direta permite maiores velocidades de comutação e melhor eficiência do sistema.
Quando é aplicada tensão direta suficiente, uma corrente flui na direção direta. Um silício p–O diodo n tem uma tensão direta típica de 600–700 mV, enquanto o Schottky’ a tensão direta é 150–450 mV. Este menor requisito de tensão direta permite maiores velocidades de comutação e melhor eficiência do sistema.
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