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AUSCD12H~AUSCD110H, AUSCD22H~AUSCD24H, AUSCD24UH, AUSCD26H, AUSCD32H~AUSCD34H, AUSCD36H, AUSCD210H, AUSCD310H, SCD24UH SCD12H~SCD14H, SCD16H~SCD110H, SCD22H~SCD24H, SCD26H, SCD36H, SCD32H~SCD34H, SCD36MH, SCD36RH, SCD36ULH, SCD53H, SCD54H, SCD56UH, SCD115H~SCD120H, SCD210H, SCD215H~SCD220H, SCD310H, SCD315H, SCD320H, SCD345H, SCD345MH, SCD345PH, SCD345UH, SCD545H, SCD545UH
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Il diodo Schottky, noto anche come diodo a barriera Schottky o diodo a caldo-diodo portante, è un diodo semiconduttore formato dalla giunzione di un semiconduttore con un metallo. Ha una bassa caduta di tensione diretta e un'azione di commutazione molto rapida. Il gatto’ S-i rilevatori di baffi utilizzati nei primi giorni dei raddrizzatori wireless e metallici utilizzati nelle prime applicazioni di potenza possono essere considerati diodi Schottky primitivi.
Quando viene applicata una tensione diretta sufficiente, una corrente scorre in direzione avanti. Un silicio p&ehi;il diodo n ha una tensione diretta tipica di 600&ehi;700 mV, mentre lo Schottky’ la tensione diretta è 150&ehi;450 mV. Questo requisito di tensione diretta inferiore consente velocità di commutazione più elevate e una migliore efficienza del sistema.
Quando viene applicata una tensione diretta sufficiente, una corrente scorre in direzione avanti. Un silicio p&ehi;il diodo n ha una tensione diretta tipica di 600&ehi;700 mV, mentre lo Schottky’ la tensione diretta è 150&ehi;450 mV. Questo requisito di tensione diretta inferiore consente velocità di commutazione più elevate e una migliore efficienza del sistema.
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