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AUSCD12H~AUSCD110H, AUSCD22H~AUSCD24H, AUSCD24UH, AUSCD26H, AUSCD32H~AUSCD34H, AUSCD36H, AUSCD210H, AUSCD310H, SCD24UH SCD12H~SCD14H, SCD16H~SCD110H, SCD22H~SCD24H, SCD26H, SCD36H, SCD32H~SCD34H, SCD36MH, SCD36RH, SCD36ULH, SCD53H, SCD54H, SCD56UH, SCD115H~SCD120H, SCD210H, SCD215H~SCD220H, SCD310H, SCD315H, SCD320H, SCD345H, SCD345MH, SCD345PH, SCD345UH, SCD545H, SCD545UH
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La diode Schottky également connue sous le nom de diode à barrière Schottky ou diode chaude-diode porteuse, est une diode semi-conductrice formée par la jonction d'un semi-conducteur avec un métal. Il présente une faible chute de tension directe et une action de commutation très rapide. Le chat’ m-Les détecteurs de moustaches utilisés aux débuts de la technologie sans fil et les redresseurs métalliques utilisés dans les premières applications d'alimentation peuvent être considérés comme des diodes Schottky primitives.
Lorsqu'une tension directe suffisante est appliquée, un courant circule dans le sens direct. Un silicium p–La diode n a une tension directe typique de 600–700 mV, tandis que le Schottky’ la tension directe est de 150–450 mV. Cette exigence de tension directe plus faible permet des vitesses de commutation plus élevées et une meilleure efficacité du système.
Lorsqu'une tension directe suffisante est appliquée, un courant circule dans le sens direct. Un silicium p–La diode n a une tension directe typique de 600–700 mV, tandis que le Schottky’ la tension directe est de 150–450 mV. Cette exigence de tension directe plus faible permet des vitesses de commutation plus élevées et une meilleure efficacité du système.
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