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誠摯邀請您參加慕尼黑上海電子展

展會日期：2017/3/14~2017/3/16
展會地點：上海新國際博覽中心 - 上海市浦東新區龍陽路2345號 (201204)
如何快速到達：智威科技展位E4館鄰近9號門
智威科技展位號：E4 - 4866
展會網址：http://www.máquina electrónica.con.En/En

Condensadores sólidos de aluminio y polímero condu

Los condensadores sólidos son los más altos-condensadores finales excepto condensadores de tantalio. Están hechos de materiales moleculares altamente conductores con electrolitos en polvo en su interior.. Tienen las ventajas de la explosión.-suspensión de prueba, buena estabilidad, Alta confiabilidad, Resistencia a altas temperaturas, y larga vida. La función principal de los condensadores sólidos es filtrar aún más algunos picos de corriente y desorden., garantizar la estabilidad del suministro de energía a varias partes.

Condensador de polímero

Condensadores electrolíticos de baja ESR

Condensador de polímero de aluminio

Condensador de polímero de tantalio

Un condensador electrolítico de tantalio es un condensador electrolítico., un componente pasivo de circuitos electrónicos. Consiste en una pastilla de metal de tantalio poroso como ánodo., cubierto por una capa de óxido aislante que forma el dieléctrico, Rodeado de electrolito líquido o sólido como cátodo. Debido a su capa dieléctrica muy delgada y de permitividad relativamente alta, El condensador de tantalio se distingue de otros condensadores convencionales y electrolíticos por tener una alta capacitancia por volumen. (Alta eficiencia volumétrica) y menor peso.

MBCN

* Halógeno-tipo libre
* Uniones de chips pasivadas con vidrio
* Cumplimiento de producto con RoHS
* Forma de chip sin plomo, Sin daños por plomo
* Baja pérdida de potencia, Alta eficiencia
* Alta capacidad de corriente
* El paquete de plástico tiene inflamabilidad según Underwriters Laboratory.
Clasificación 94V-0

MBCR

MBCN

Rectificadores de puente SMD

* Halógeno-tipo libre
* Uniones de chips pasivadas con vidrio
* Cumplimiento de producto con RoHS
* Forma de chip sin plomo, Sin daños por plomo
* Baja pérdida de potencia, Alta eficiencia
* Alta capacidad de corriente
* El paquete de plástico tiene inflamabilidad según Underwriters Laboratory.
Clasificación 94V-0

CMB

Paquete Z4

Z4PAK-S

Z4PAK-D

Z4PAK-DS

A3PS

A2010

0805

2010

1206

0603

A3PS-1

2114

3220

Paquete Z1

Paquete Z2

Z2APAK

Paquete Z3

Z5PAK-T

A3PS-G

Paquete 8034

El rectificador de alto voltaje es un solo-diodo de unión, que bloquea el voltaje requerido rápidamente sin fugas de corriente inversa, o generar calor a partir de pérdidas de energía en el proceso. Sin embargo, en la realidad, alto-Los rectificadores de voltaje ofrecen un comercio complejo-Desactivaciones.

A3PS-C

Televisores, llamado supresor de voltaje transitorio, Se divide en unidireccional y bidireccional.. El TVS unidireccional se utiliza principalmente en circuitos de CC., y el TVS bidireccional se utiliza en circuitos de CA. La aplicación TVS es anti-Paralelo en el circuito. Cuando el circuito funciona normalmente, Esta en el corte-fuera de estado (estado de alta impedancia), que no afecta el funcionamiento normal del circuito. Cuando se produce una sobretensión anormal en el circuito y alcanza su tensión de ruptura VB, Cambia rápidamente de un estado de alta resistencia a un estado de baja resistencia., Absorbe y descarga la sobrecorriente generada por la sobretensión anormal a tierra., y al mismo tiempo sujeta la sobretensión anormal. Dentro del rango seguro que el primero-El circuito del escenario puede soportar, para proteger el futuro-circuito de la etapa contra daños por sobretensión anormal. Cuando desaparece la sobretensión anormal, La resistencia del TVS vuelve al estado original de alta resistencia.

A4PS-DT

A2010

AME

PYME

CMS

A1206

1206-S

2010-TCD

Televisores, llamado supresor de voltaje transitorio, Se divide en unidireccional y bidireccional.. El TVS unidireccional se utiliza principalmente en circuitos de CC., y el TVS bidireccional se utiliza en circuitos de CA. La aplicación TVS es anti-Paralelo en el circuito. Cuando el circuito funciona normalmente, Esta en el corte-fuera de estado (estado de alta impedancia), que no afecta el funcionamiento normal del circuito. Cuando se produce una sobretensión anormal en el circuito y alcanza su tensión de ruptura VB, Cambia rápidamente de un estado de alta resistencia a un estado de baja resistencia., Absorbe y descarga la sobrecorriente generada por la sobretensión anormal a tierra., y al mismo tiempo sujeta la sobretensión anormal. Dentro del rango seguro que el primero-El circuito del escenario puede soportar, para proteger el futuro-circuito de etapa contra daños por sobretensión anormal. Cuando desaparece la sobretensión anormal, La resistencia del TVS vuelve al estado original de alta resistencia.

A3PS

El diodo Schottky también conocido como diodo de barrera Schottky o diodo de corriente caliente.-diodo portador, Es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un metal.. Tiene una baja caída de tensión directa y una acción de conmutación muy rápida.. El gato’ s-Los detectores de bigotes utilizados en los primeros días de la tecnología inalámbrica y los rectificadores de metal utilizados en las primeras aplicaciones de energía pueden considerarse diodos Schottky primitivos..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&De ninguna manera;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&En serio;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&De ninguna manera;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..

A2010

El diodo Schottky también conocido como diodo de barrera Schottky o diodo de corriente caliente.-diodo portador, Es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un metal.. Tiene una baja caída de tensión directa y una acción de conmutación muy rápida.. El gato’ s-Los detectores de bigotes utilizados en los primeros días de la tecnología inalámbrica y los rectificadores de metal utilizados en las primeras aplicaciones de energía pueden considerarse diodos Schottky primitivos..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&En serio;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&De ninguna manera;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&De ninguna manera;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..

0805

El diodo Schottky también conocido como diodo de barrera Schottky o diodo de corriente caliente.-diodo portador, Es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un metal.. Tiene una baja caída de tensión directa y una acción de conmutación muy rápida.. El gato’ s-Los detectores de bigotes utilizados en los primeros días de la tecnología inalámbrica y los rectificadores de metal utilizados en las primeras aplicaciones de energía pueden considerarse diodos Schottky primitivos..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&De ninguna manera;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&De ninguna manera;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&De ninguna manera;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..

2010

El diodo Schottky también conocido como diodo de barrera Schottky o diodo de corriente caliente.-diodo portador, Es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un metal.. Tiene una baja caída de tensión directa y una acción de conmutación muy rápida.. El gato’ s-Los detectores de bigotes utilizados en los primeros días de la tecnología inalámbrica y los rectificadores de metal utilizados en las primeras aplicaciones de energía pueden considerarse diodos Schottky primitivos..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&En serio;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&De ninguna manera;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&En serio;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..

1206

El diodo Schottky también conocido como diodo de barrera Schottky o diodo de barrera caliente.-diodo portador, Es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un metal.. Tiene una baja caída de tensión directa y una acción de conmutación muy rápida.. El gato’ s-Los detectores de bigotes utilizados en los primeros días de la tecnología inalámbrica y los rectificadores de metal utilizados en las primeras aplicaciones de energía pueden considerarse diodos Schottky primitivos..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&En serio;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&De ninguna manera;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&De ninguna manera;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..

0603

El diodo Schottky también conocido como diodo de barrera Schottky o diodo de corriente caliente.-diodo portador, Es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un metal.. Tiene una baja caída de tensión directa y una acción de conmutación muy rápida.. El gato’ s-Los detectores de bigotes utilizados en los primeros días de la tecnología inalámbrica y los rectificadores de metal utilizados en las primeras aplicaciones de energía pueden considerarse diodos Schottky primitivos..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&En serio;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&De ninguna manera;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&En serio;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..

1206-S

El diodo Schottky también conocido como diodo de barrera Schottky o diodo de corriente caliente.-diodo portador, Es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un metal.. Tiene una baja caída de tensión directa y una acción de conmutación muy rápida.. El gato’ s-Los detectores de bigotes utilizados en los primeros días de la tecnología inalámbrica y los rectificadores de metal utilizados en las primeras aplicaciones de energía pueden considerarse diodos Schottky primitivos..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&De ninguna manera;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&En serio;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&En serio;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..

2114

El diodo Schottky también conocido como diodo de barrera Schottky o diodo de corriente caliente.-diodo portador, Es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un metal.. Tiene una baja caída de tensión directa y una acción de conmutación muy rápida.. El gato’ s-Los detectores de bigotes utilizados en los primeros días de la tecnología inalámbrica y los rectificadores de metal utilizados en las primeras aplicaciones de energía pueden considerarse diodos Schottky primitivos..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&En serio;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&En serio;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&De ninguna manera;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..

3220

El diodo Schottky también conocido como diodo de barrera Schottky o diodo de corriente caliente.-diodo portador, Es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un metal.. Tiene una baja caída de tensión directa y una acción de conmutación muy rápida.. El gato’ s-Los detectores de bigotes utilizados en los primeros días de la tecnología inalámbrica y los rectificadores de metal utilizados en las primeras aplicaciones de energía pueden considerarse diodos Schottky primitivos..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&En serio;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&De ninguna manera;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&En serio;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..

Paquete Z1

El diodo Schottky también conocido como diodo de barrera Schottky o diodo de corriente caliente.-diodo portador, Es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un metal.. Tiene una baja caída de tensión directa y una acción de conmutación muy rápida.. El gato’ s-Los detectores de bigotes utilizados en los primeros días de la tecnología inalámbrica y los rectificadores de metal utilizados en las primeras aplicaciones de energía pueden considerarse diodos Schottky primitivos..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&En serio;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&De ninguna manera;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&De ninguna manera;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..

Paquete Z2

El diodo Schottky también conocido como diodo de barrera Schottky o diodo de corriente caliente.-diodo portador, Es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un metal.. Tiene una baja caída de tensión directa y una acción de conmutación muy rápida.. El gato’ s-Los detectores de bigotes utilizados en los primeros días de la tecnología inalámbrica y los rectificadores de metal utilizados en las primeras aplicaciones de energía pueden considerarse diodos Schottky primitivos..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&De ninguna manera;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&De ninguna manera;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&De ninguna manera;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..

Z2APAK

El diodo Schottky también conocido como diodo de barrera Schottky o diodo de corriente caliente.-diodo portador, Es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un metal.. Tiene una baja caída de tensión directa y una acción de conmutación muy rápida.. El gato’ s-Los detectores de bigotes utilizados en los primeros días de la tecnología inalámbrica y los rectificadores de metal utilizados en las primeras aplicaciones de energía pueden considerarse diodos Schottky primitivos..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&De ninguna manera;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&De ninguna manera;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&De ninguna manera;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..

Paquete Z3

El diodo Schottky también conocido como diodo de barrera Schottky o diodo de corriente caliente.-diodo portador, Es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un metal.. Tiene una baja caída de tensión directa y una acción de conmutación muy rápida.. El gato’ s-Los detectores de bigotes utilizados en los primeros días de la tecnología inalámbrica y los rectificadores de metal utilizados en las primeras aplicaciones de energía pueden considerarse diodos Schottky primitivos..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&De ninguna manera;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&De ninguna manera;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&De ninguna manera;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..

Z5PAK-T

El diodo Schottky también conocido como diodo de barrera Schottky o diodo de corriente caliente.-diodo portador, Es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un metal.. Tiene una baja caída de tensión directa y una acción de conmutación muy rápida.. El gato’ s-Los detectores de bigotes utilizados en los primeros días de la tecnología inalámbrica y los rectificadores de metal utilizados en las primeras aplicaciones de energía pueden considerarse diodos Schottky primitivos..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&De ninguna manera;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&De ninguna manera;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&En serio;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..

A3PS-1

El diodo Schottky también conocido como diodo de barrera Schottky o diodo de corriente caliente.-diodo portador, Es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un metal.. Tiene una baja caída de tensión directa y una acción de conmutación muy rápida.. El gato’ s-Los detectores de bigotes utilizados en los primeros días de la tecnología inalámbrica y los rectificadores de metal utilizados en las primeras aplicaciones de energía pueden considerarse diodos Schottky primitivos..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&De ninguna manera;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&De ninguna manera;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&De ninguna manera;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..

A3PS-G

El diodo Schottky también conocido como diodo de barrera Schottky o diodo de barrera caliente.-diodo portador, Es un diodo semiconductor formado por la unión de un semiconductor con un metal.. Tiene una baja caída de tensión directa y una acción de conmutación muy rápida.. El gato’ s-Los detectores de bigotes utilizados en los primeros días de la tecnología inalámbrica y los rectificadores de metal utilizados en las primeras aplicaciones de energía pueden considerarse diodos Schottky primitivos..
Cuando se aplica suficiente voltaje directo, Una corriente fluye en dirección hacia adelante. Una p de silicio&De ninguna manera;El diodo n tiene un voltaje directo típico de 600&De ninguna manera;700 mV, Mientras que el Schottky’ El voltaje directo es 150&En serio;450 mV. Este menor requisito de voltaje directo permite velocidades de conmutación más altas y una mejor eficiencia del sistema..

MBCN

PoE-Rectificador de puente de diodos Schottky PD
Diodos Schottky de baja caída de tensión directa para PoE
Alto-Rectificadores de eficiencia en Power over Ethernet
PoE-Soluciones de rectificación de dispositivos PD
Circuito rectificador de puente con diodos Schottky
Ventajas de los diodos Schottky en aplicaciones PoE
Conversión de energía en PoE-PD con diodos Schottky
Guía de selección de rectificadores Schottky en PoE
Comparación del rendimiento de los diodos Schottky y de los diodos de silicio en PoE
Gestión térmica de rectificadores de puente Schottky en PoE-PD
Halógeno-tipo libre
* Cumplimiento de producto con RoHS
* Forma de chip sin plomo, Sin daños por plomo
* Baja pérdida de potencia, Alta eficiencia
* Alta capacidad de corriente
* El paquete de plástico tiene inflamabilidad según Underwriters Laboratory.
Clasificación 94V-0

CMB

PoE-Rectificador de puente de diodos Schottky PD
Diodos Schottky de baja caída de tensión directa para PoE
Alto-Rectificadores de eficiencia en Power over Ethernet
PoE-Soluciones de rectificación de dispositivos PD
Circuito rectificador de puente con diodos Schottky
Ventajas de los diodos Schottky en aplicaciones PoE
Conversión de energía en PoE-PD con diodos Schottky
Guía de selección de rectificadores Schottky en PoE
Comparación del rendimiento de los diodos Schottky y de los diodos de silicio en PoE
Gestión térmica de rectificadores de puente Schottky en PoE-PD

Halógeno-tipo libre
* Cumplimiento de producto con RoHS
* Forma de chip sin plomo, Sin daños por plomo
* Baja pérdida de potencia, Alta eficiencia
* Alta capacidad de corriente
* El paquete de plástico tiene inflamabilidad según Underwriters Laboratory.
Clasificación 94V-0

Paquete 2114