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繁體中文Schottky-Barrier-Gleichrichter 0805
AUMSCD012H~AUMSCD014H, AUMSCD052H~AUMSCD054H, AUMSCD102H~AUMSCD106H, AUMSCD202H~AUMSCD204H, AUMSCD302H~AUMSCD306H, MSCD012H~MSCD014H, MSCD022H~MSCD024H, MSCD032H~MSCD036H, MSCD052H~MSCD054H, MSCD053RH, MSCD102H~MSCD106H, MSCD104RH, MSCD106RH, MSCD202H~MSCD204H, MSCD302H~MSCD306H
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Die Schottky-Diode, auch bekannt als Schottky-Barrierediode oder Hot-Trägerdiode, ist eine Halbleiterdiode, die durch die Verbindung eines Halbleiters mit einem Metall gebildet wird. Es verfügt über einen niedrigen Durchlassspannungsabfall und eine sehr schnelle Schaltwirkung. Die Katze’ S-Whisker-Detektoren, die in den frühen Tagen der drahtlosen Kommunikation verwendet wurden, und Metallgleichrichter, die in frühen Stromanwendungen eingesetzt wurden, können als primitive Schottky-Dioden angesehen werden.
Bei ausreichender Durchlassspannung, ein Strom fließt in Vorwärtsrichtung. Ein Silizium p–n Diode hat eine typische Durchlassspannung von 600–700 mV, während der Schottky’ Die Durchlassspannung beträgt 150–450 mV. Dieser geringere Durchlassspannungsbedarf ermöglicht höhere Schaltgeschwindigkeiten und eine bessere Systemleistung.
Bei ausreichender Durchlassspannung, ein Strom fließt in Vorwärtsrichtung. Ein Silizium p–n Diode hat eine typische Durchlassspannung von 600–700 mV, während der Schottky’ Die Durchlassspannung beträgt 150–450 mV. Dieser geringere Durchlassspannungsbedarf ermöglicht höhere Schaltgeschwindigkeiten und eine bessere Systemleistung.
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